ABB 3BHB016120R0002 3BHE019719R0101

　集成门极换向晶闸管 (IGCT)所有 Hitachiergy IGCT(集成门极换向晶闸管)都是压装设备。它们以相对较大的力压在散热器上，散热器也用作电源端子的电触点。　　IGCT 的开启/关闭控制单元是组件的一个组成部分。它只需要一个外部电源，其控制功能可通过光纤连接方便地访问。该设备的控制功耗通常在 10 - 100 W 之间。　　IGCT 针对低传导损耗进行了优化。其典型的开启/关闭开关频率在 500 赫兹范围内。然而，与 GTO 相比，开关频率上限仅受工作热损耗和系统散热能力的限制。此功能与器件在开启和关闭状态之间的快速转换相结合，可实现开关频率高达 40 kHz 的短开关脉冲群。　　IGCT 需要一个导通保护网络(本质上是一个电感器)来限制电流上升率。但是，与 GTO 相比，关断保护网络是可选的。它可以以略微降低的关断电流能力为代价被省略。　　IGBT 和 IGCT 是四层器件，乍一看并没有什么不同。但是，当您“ 深入了解”时，您会发现绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和集成(有时称为“绝缘 ”)门极换向晶闸管 (IGCT) 并不相似。双极晶体管构成了 IGBT 的基础，而 IGCT 则与栅极关断晶闸管 (GTO) 相关。IGBT 和 IGCT 都是为工业应用而开发的。IGBT 可以在 10+ 千赫兹 (kHz) 的频率下切换，而 IGCT 的最大频率限制在 1 kHz 左右。　　本常见问题解答首先简要回顾 IGBT 的操作，深入探讨 IGCT 的工作原理，最后比较两种技术。　　IGBT 的开发旨在将功率 MOSFET 的简单栅极驱动要求与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。它们是在单个器件中由隔离栅 MOSFET 控制的双极电源开关的组合(图 1)。IGBT 设计用于快速和低功率电容开关，驱动高电压和高电流负载。隔离栅是一个MOSFET结构，不是一个单独的MOSFET。MOSFET 栅极结构取代了双极晶体管的基极，由此产生的 IGBT 具有发射极、栅极和集电极引脚。　　基本的 IGBT 操作很简单：　　从栅极到发射极的正电压 (U GE ) 打开 MOSFET 栅极。　　这使得连接到集电极的电压能够驱动基极电流通过双极晶体管和 MOSFET;　　双极晶体管导通，负载电流流过 IGBT。　　关断IGBT，用U GE ≤ 0 V的电压关断 MOSFET，中断基极电流，关断双极晶体管，IGBT停止导通电流。　　IGBT 单向传导电流。由于 MOSFET 栅极的容性特性，栅极电流只需对栅极电容充电即可开启器件。虽然栅极结构的电容特性限制了控制 IGBT 所需的功率量，但该器件的双极特性将其开关频率限制在最大约 30 kHz。然而，降低开关损耗的谐振拓扑可以使 IGBT 以更高的频率进行开关。　　与功率 MOSFET 不同，IGBT 没有固有的本体或续流二极管。但是，需要一个二极管通过提供续流路径来防止反向电流来保护 IGBT。一些 IGBT 带有集成二极管;否则，必须在电路中添加一个二极管。　　添加辅助发射极以减少栅极电路中杂散电感的影响可以提高 IGBT 开关性能( 图 2)。
型号推荐：
ABB IGCT模块3BHB003154R0101
ABB 3BHL000389P0104 5SXE04-0150
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ABB 5SHY3545L0005 336A4954ARP2